高信頼VLSIグループ

集積回路の経年劣化に関する研究

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近年、HCI、TDDB、NBTI などの回路の性能低下現象が無視できなくなっています。この中で、NBTI は PMOS が ON (ストレス)状態の間に閾値電圧の絶対値を増加させる現象で、タイミング故障の原因になります。一方で、この現象には PMOS が OFF (リカバリ)状態の間は閾値電圧絶対値が徐々に低下し、劣化が緩和される特性があります。

本研究ではこのような劣化現象の特性を理解し、劣化の抑制・緩和に必要な条件やホットスワップ機構などのアーキテクチャの考察を行っています。

一過性パルス幅測定回路の開発

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製造プロセスの微細化に伴い、放射線によるソフトエラーの影響が危惧されています。 ソフトエラーは、放射線粒子が半導体のシリコン基板を通過する際などに発生した電荷が堆積することで生じる現象です。ソフトエラーの一種である一過性パルスは、組み合わせ回路での電荷堆積によって発生し、記憶素子に取り込まれることで故障となります。一過性パルス幅は記憶素子への取り込まれやすさに影響しますが、パルス幅と発生率の関係は実測例が少なく、既存の一過性パルス幅測定回路は時間分解能などに問題があります。本研究では、高いパルス幅分解能でかつ測定値の正確さを保証可能な一過性パルス幅測定回路を開発しています。


Last-modified: 2014-07-02 (水) 16:51:40